在过去的几年里，单板元件的密度越来越高，单板元件的小型化和表面粘贴的要求也越来越高。片状钽电容器在这方面更容易实现，因此在电路中的应用越来越多。然而，由于补丁钽电容器制造商众多，欧美(KEMET、AVX)、日本和韩国(NEC、三星)，国内品牌众多，各厂家的生产工艺水平也不尽相同。补丁钽电容器的故障越来越受到人们的关注。片状钽电容器在某些电路中会燃烧、排烟甚至爆炸。本文简要分析了片式钽电容器制造工艺的影响，主要包括以下因素：(1)纯度：钽粉的纯度是构造介质强度的重要因素。高纯度钽粉具有较高的介质强度，能够承受较高的电流冲击。钽粉纯度低，电介质质质量差，承受冲击电流的能力差。(2)电介质的厚度:电场强度=U/D(U:电压、d厚度)。从公式中可以推断，电介质的厚度越大，承受电场强度的能力就越大，因此电介质较薄的区域承受电压的能力就越低。(3)片状钽电容密封材料:作为钽粉末密封材料的环氧树脂，如果钽具有明显的扩散系数，当片状钽电容受到热冲击或处于高温环境时，热应力会增加到片状钽电容的阳极，使环氧树脂扩散到钽粉末的阳极区域，降低钽粉末的纯度，降低片状钽电容承受冲击的能力。(4)Mnoz层的平整度:如果Mnoz层具有多孔性或层表面不均匀，通过片状钽电容器的电流通过Mnoz时密度不均匀，更多的电流通过Mnoz厚度较小的区域，这些区域承受的功率相对较大，失效的可能性较高。钽粉的纯度、电介质的厚度、片状钽电容电介质的厚度、片状钽电容密封材料、MNOZ层的平整度等，并不意味着片状钽电容在使用中会失效，但其承受能力相对较低，当片状钽电容受到浪涌电流冲击或高温工作时，故障的可能性会增加!